SCI Библиотека

На базе развития идей Э. Маха и Г. Герца предлагается теория, объясняющая механизм гравитационного взаимодействия, где классическая гравитационная постоянная γ наполняется физическим содержанием. Показано одно из наиболее вероятных направлений дальнейшего развития данной теории в части электромагнитных и иных сил дальнодействия.

The space-time metric chosen by the author, has allowed to explain the nature of Quasars, bright radiation sources, a dark substance, black holes and to calculate spectrums of these objects both their geometrical and physical properties. For the first time the processes happening beyond the horizon of events are analyzed. Besides, connection of accelerated expansion of the Universe is established with activity of Quasars. The most interesting is conclusion that in a neighborhood of Quasars there is an energy and substance manufacture process. This deduction is well explained and justified in the consent with the Noethers theorem. Substance manufacture deepens a Universe potential that leads to a metric modification. Therefore, Universe expansion is not driving, but is a consequence of a metric modification. Book virtue is that theory deductions are based on the received postulates, are confirmed by known experiments, and introduction of additional hypotheses do not demand.

Оптоакустический метод диагностики биологических тканей можно использовать для определения концентрации гемоглобина, глюкозы, гематокрита, в силу того, что он имеет высокое пространственное разрешение. Проведены измерения акустического сигнала in vitro в свиной крови и модельных биологических жидкостях в присутствии полистирольных микросфер как моделей эритроцитов. С помощью приведенного метода (in vitro) измеряли локальное состояние крови в присутствии концентрации гепарина, а также в модельных биологических средах. Результаты согласуются с опубликованными работами в этой области. Несмотря на то, что пока метод не достаточно точен и требует дальнейшей оптимизации, калибровки, он имеет большие перспективы как легко реализуемый неивазивный метод измерения в реальном времени.

Представлены результаты исследования влияния на вольтамперные характеристики (ВАХ) элементов матриц фоточувствительных элементов (ФЧЭ) на основе XBn-InGaAs структур характеристик формирования пассивирующего покрытия и используемых материалов, а также воздействие потока низкоэнергетичных ионов аргона. Пассивирующие покрытия получали методами магнетронного и резистивного напыления диэлектрических материалов сульфида цинка (ZnS), монооксида кремния (SiO) и фторида иттрия (YF3). Показано, что воздействие низкоэнергетичных ионов аргона приводит к катастрофическому увеличению темновых токов непассивированных элементов матриц.

Экспериментально и теоретически исследованы вольт-амперные характеристики высоковольтного российского карбидокремниевого диода Шоттки 5ДШ410А1 в диапазоне температур от 298 К до температуры жидкого азота. Установлено, что при снижении температуры от 298 К до 78 К значение прямого тока возрастает примерно в два раза (до 211 А), а обратное напряжение достигает 1450 В. Теоретически описаны прямые и обратные вольт-амперные характеристики при температуре 78 К. Продемонстрирована возможность стабильной работы диода Шоттки 5ДШ410А1 при низких температурах.

Показано, что предварительная термическая обработка в кислороде и азоте при 1150 С в течение нескольких часов значительно снижает неравномерность в распределении времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, выращенном методом Чохральского, при последующих диффузионных процессах. Полученный результат объясняется образованием при отжиге приповехностной зоны с пониженной концентрацией кислорода, в которой подавляется рост кислородных преципитатов.

Пособие содержит теоретический материал по теории поля с подробным изложением разобранных практических задач. Приведены варианты контрольных работ, а также задач для самостоятельного решения. Рекомендовано для студентов, обучающихся по направлению 280100 «Природообустройство и водопользование». Может быть полезно для студентов, обучающихся по направлению 120700 «Землеустройство и кадастры».

Учебное пособие посвящено физическим и электродинамическим исследованиям многослойных структур методом матрицы. Решены задачи о распространении одномерных и электромагнитных волн при нормальном и наклонном (продольная и поперечная поляризации) падении на структуру, состоящую из произвольного числа сред с различными параметрами. Рассматриваются случаи однонаправленных и встречных волн. Определены матрицы распространения, связи, сопряжения, передачи, найдены амплитуды волн. Приведены зависимости коэффициентов отражения, прохождения и выхода от толщины сред при различных параметрах структуры. Пособие будет полезно студентам и аспирантам физических специальностей университетов и институтов, а также преподавателям, инженерам и научным работникам в области технических наук.

В электронном учебном пособии кратко излагаются основы физики твёрдого тела для изучения на физических или физико-математических факультетах педагогических институтов (университетов). Пособие разработано в соответствии с Государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования, утвержденным Министерством образования и науки Российской Федерации в 2005 г. Кроме традиционных тем физики твёрдого тела в пособии рассмотрены такие вопросы, как современные материалы (нанотрубки, графены, высокотемпературные сверхпроводники). Учебное пособие предназначено для студентов и преподавателей физических специальностей вузов.

В учебном пособии приведены теоретические основы проектирования основных устройств на цифровых интегральных микросхемах, основы алгебры логики, минимизация с помощью алгебраических методов, карт Карно, геометрических методов. Рассмотрены базовые элементы цифровой схемотехники на основе ТТЛ-технологии, КМОП-технологии, ЭСЛ-технологии, диодно-транзисторная логика и микросхемы с тремя состояниями. Приведены основные устройства цифровой микросхемотехники на основе триггеров, сумматоров, компараторов, узлов свертки по четности, кодирующих и декодирующих устройств. Рассмотрены счетчики, сумматоры, регистры. Приведены основы проектирования схем на мультиплексорах, рассмотрено применение алгебры логики при проектировании релейных схем.