In this study, we report on the synthesis of InGaAsSb epi-layer for optoelectronic devices in short infrared wavelengths (SWIR) at room temperature (RT). The InGaAsSb with lattice matched to GaSb substrate was grown by the molecular beam epitaxy (MBE) using the strain engineering. The structural and optical properties of InGaAsSb layer was investigated by high resolution X-ray diffractometer (XRD), and photoluminescence (PL). Devices with a 400×400 μm of size were fabricated using traditional photolithography and inductively coupled plasma etching. The spectral response of InGaAsSb photodetector with a 90% cutoff wavelength and electroluminescence spectra of light emitting diode (LED) obtained at 2.38 μm at an applied bias of –0.1 V and 2.25 μm with Jic = 500 mA, respectively at room temperature. Also, the spectral response of the detector indicates an increasing intensity and low noise when the temperature is high
Решения многих задач в различных областях деятельности человека требуют применения специализированной техники и приборов, которые расширяют физические возможности органов чувств, данных ему природой. К таким приборам относятся производимые Конструкторским Бюро “ВиТА” серийные и кастомизированные камеры короткого ИК-диапазона
роведены анализ и классификация способов формирования информационного поля управления ракетой с помощью командных лазерно-лучевых систем телеуправления. Определены основные уязвимые к оптикоэлектронным помехам каналы этих систем
Предложено оценивать эффективность работы системы телеориентации количеством информации, которое определяется числом разрешимых пространственных положений объекта управления в информационном поле, выделяемых системой в единицу времени. На основе полученной модели системы телеориентации исследовано влияние энергетических факторов на пропускную способность канала управления. Предложен модифицированный алгоритм сканирования луча по строке с двумя измерениями положения объекта
Рассматриваются фундаментальные и практические преимущества внедрения нового междисциплинарного направления – радиофотоники (микроволновой фотоники) – в разработки современных и перспективных радиосредств двойного назначения. Главные преимущества заключаются в повышении рабочей частоты до терагерцевого диапазона, расширении полосы обработки до нескольких гигагерц, улучшении электромагнитной совместимости и массогабаритных характеристик. Дается классификация компонентной базы радиофотоники, анализируется современный уровень мирового развития радиофотоники с акцентом на ее второй этап: интегральную радиофотонику. Кратко описываются работы в области радиофотоники, выполненные и ведущиеся в Московском технологическом университете, включая результаты моделирования и экспериментальных исследований, обучение и ближайшие задачи созданного научно-технологического центра «Интегральная радиофотоника“
Начиная с 1980-х годов внимание исследователей приковало создание радиочастотных (РЧ) микроволновых фотонных каналов. Первоначально выходу РЧ- фотонной технологии на гражданский и оборонный рынки препятствовала высокая себестоимость оборудования и ограничения по допуску к использованию диапазона радиочастот, а также строгие требования к соблюдению размеров, массы и потребляемой мощности (РМПМ, англ. size, weight and power, SWaP). За прошедшие годы разработчики научно обосновали принципы работы радиофотонных устройств и разработали технологии их изготовления. Благодаря этому в производстве радиофотонных систем наблюдался постоянный прогресс
Данная статья посвящена разработке технологии комплексной очистки отработанных моторных масел, составам его научных и технологических основ, в том числе: определение характера загрязнения в отработанном моторном масле, исследование способности процесса ультразвукового облучения, обеззараживание отработанного моторного масла, определение и оптимизация факторов, которые могут повлиять на возможность и эффективность предложенного метода, исследование природы адсорбентов (местного происхождения).
Ценность работы состоит в комплексном исследовании очистки от нежелательных компонентов, их разрушения ультразвуковым излучением и адсорбцией, сравнении их эффективности с зарубежными аналогами, определении термодинамики и кинетики адсорбционного процесса.
Рассмотрены бюджетные кластерные структуры макроэкономических систем. Целью работы является их адекватное математическое описание. Математическое описание известных ранее nи m -кластеров обладало рядом недостатков: возникала необходимость введения дополнительного параметра n иерархического параметра, вид зависимости макроэкономических величин от которого определял тип кластера, при этом использовался достаточно громоздкий математический аппарат; несмотря на то, что кластеры соответствовали достаточно большому временному промежутку (несколько лет), в течение этого времени число производственных единиц макроэкономической системы предполагалось неизменным, что ограничивало возможности применения математического описания. С целью преодоления указанных недостатков, а также для создания математического описания еще одного вида кластеров, ранее не рассматривавшихся, в работе предлагается новое математическое описание всех видов бюджетных кластерных структур. Такие структуры названы n -кластерами. В качестве математического инструмента, так же как и раньше, используется термодинамический подход к макроэкономике, подчиняющийся статистике Бозе Эйнштейна. Построено уравнение состояния макроэкономической системы. Для значения иерархического параметра выбирается его предельное значение n = 1. Всем типам кластеров, включая nи m -кластеры, дается единое описание. Имеет место чередование n -кластеров, соответствующих падению рентабельности и ее росту, что может рассматриваться как «дыхание» макроэкономики. Каждый кластер характеризуется определенной динамикой основных макроэкономических параметров. Для ведущих экономик мира (США, Китая, Германии, Японии) дается описание таких кластерных структур. Единое описание всех видов кластеров создает новые возможности прогноза динамики основных макроэкономических параметров, а также эффективный механизм управления экономическими процессами.
Общие принципы построения и функционирования ОЭПиС, классификация
систем, обобщенная структурная схема ОЭПиС;
Оптико-электронные приборы: определение, обобщенные схемы и методы работы
Свойства электромагнитного излучения широко используются в
современной науке и технике, особенно в бесконтактных, дистанционных
устройствах контроля, измерения, передачи и преобразования
информации, сбора и передачи энергии и др. Среди приборов, основан
ных на использовании электромагнитного излучения, особое место
занимают ОЭП, которым свойственны высокая точность, быстродействие,
возможность обработки многомерных сигналов и другие цен
ные для практики свойства.
Оптико-электронными называются приборы, в которых информация об исследуемом
или наблюдаемом объекте переносится оптическим излучением (содержится в оптическом
сигнале), а её первичная
обработка сопровождается преобразованием энергии излучения в электрическую
энергию. В состав этих приборов входят как оптические,
так и электронные звенья, причем и те и другие выполняют основные
функции данного прибора, а не являются вспомогательными устрой
ствами (например, узлами подсветки отсчетных шкал, устройствами
термостабилизации и т. д.)
В статье представлены материалы доклада,
сделанного на форуме «Армия 2019», посвященные
формированию предложений в концепцию
развития технологий искусственного интеллекта в
Вооруженных Силах РФ. Авторы проводят анализ
ряда зарубежных концепций в области искусственного
интеллекта, исследуют общие тенденции развития
технологий искусственного интеллекта в военной
сфере, формулируют предложения по содержанию
стратегии развития технологий искусственного
интеллекта в ВС РФ.