SCI Библиотека

В работе рассматриваются различные фоточувствительные структуры высокоэффективных фотоприемных модулей (ФПМ) для современных оптико-электронных систем и приборных комплексов, работающих при низких уровнях естественной ночной освещенности (менее 10-3 лк) и в условиях воздействия естественных и организованных оптических помех. Анализируются варианты с использованием электронно-оптических преобразователей (ЭОП) III и III+ поколений, фото- и электронно-чувствительных матриц ПЗС или КМОП. Рассматривается возможность создания сверхвысоковакуумных гибридных модулей на основе фотокатодов с отрицательным электронным сродством, используемых в ЭОП III и III+ поколений, и кремниевых электронно-чувствительных ПЗС или КМОП матриц с бомбардировкой фото-электронами утоненной обратной стороны матрицы, приведены их основные характеристики, показано их преимущество по сравнению с другими структурами ФПМ и приведены основные области применения в составе современных оптико-электронных систем ночного видения.

Цель. Оптимизация комплексной дифференциальной диагностики кистозных новообразований поджелудочной железы внедрением в клиническую практику новых технологий эндоскопического УЗИ (эндо-УЗИ).

Материал и методы. Проведен анализ результатов комплексной диагностики 424 пациентов с кистозными новообразованиями поджелудочной железы, которым было выполнено эндо-УЗИ.

Результаты. В 328 (77,4%) наблюдениях при эндо-УЗИ было достаточно данных стандартного В-режима. В 96 (22,6%) наблюдениях была необходимость в контрастном усилении: 59 (61,5%) больным выполнили оценку накопления контрастного препарата стенкой, перегородками и солидными структурами, 25 (26%) – только стенкой и перегородками, 12 (12,5%) больным выполнили оценку нодулярного компонента кистозных новообразований поджелудочной железы. Ретроспективно установлено, что использование эндо-УЗИ с контрастным усилением по сравнению с В-режимом повысило общую точность метода в дифференциальной диагностике кистозных неоплазий и постнекротических кист на 14,7%, в диагностике солидных структур кистозных новообразований – на 11,3%, в диагностике кистозно-трансформированной аденокарциномы или ассоциированной с аденокарциномой внутрипротоковой папиллярной муцинозной неоплазии – на 9,9%. Внедрение в алгоритм комплексного эндо-УЗИ контрастного усиления способствовало уменьшению числа тонкоигольных пункций.

Заключение. Собственный опыт и мнение зарубежных исследователей свидетельствуют о необходимости включения в диагностический алгоритм кистозных новообразований поджелудочной железы мультимодального эндо-УЗИ. На основании результатов исследования разработан алгоритм применения новых технологий эндо-УЗИ в дифференциальной диагностике кистозных новообразований поджелудочной железы.

Исследованы изменения радиационной стойкости пленки CdS при модификации её поверхности свинецсодержащими нанокластерами (CНК), полученными путем формирования золя с СНК на щелочной субфазе и перенесенными на подложку CdS без использования технологии Ленгмюра–Шеффера. Проведено сравнение эффективности данного метода с ранее разработанными. Показано, что оптимальным являются количество, размер и состав кластеров, полученных при выдержке пленки, состоящей из СНК, на поверхности золя в течение одного часа. Такое покрытие обеспечивает радиационную стойкость пленочного образца CdS при облучении электронами допороговых энергий. При этом достигаемая на этих образцах кратность изменения тока при освещении выше, чем на образцах с покрытием из арахината свинца. Это объясняется модификацией поверхности CdS и созданием на ней локальных возмущений электрического потенциала в местах расположения СНК, способствующих стоку и закреплению образованных электронным облучением заряженных точечных дефектов в области СНК.

Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охлаждаемого столика установки нагрев КРТ не превышает 0,2 оС. В случае полного отсутствия теплового контакта образца и столика радиационный нагрев кристалла может превышать 120 оС. Проведено сравнение нагрева КРТ в процессе ИЛТ Ar+ и ионной имплантации аргона.

Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результате релаксации электронных возбуждений в приповерхностном слое полупроводника генерируются точечные дефекты, изменяющие электрофизические свойства этого слоя и границы раздела «диэлектрик-полупроводник».

Проведены расчеты скорости поверхностной рекомбинации для слоев HgCdTe р-типа проводимости при различных концентрациях легирующих примесей и плотности концентрации ловушек Nt. Показано, что при указанных выше начальных параметрах скорость поверхностной рекомбинации Smax находится в диапазоне 10–104 см/с. Проведено моделирование токовой чувствительности для HgCdTe р-типа, используя зависимость квантовой эффективности в приближении больших времен жизни τn0 и больших диффузионных длин Ln неосновных носителей заряда с учетом влияния скорости поверхностной рекомбинации.

Вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-систем на основе nBn-структуры из HgCdTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013), впервые исследованы при разных частотах и температурах. При помощи емкостных измерений найдена концентрация электронов в приповерхностном слое пленки, которая хорошо соответствует концентрации легирующей примеси индия. Показано, что ВФХ МДП-систем имеют высокочастотный вид в широком диапазоне условий измерения, а произведение дифференциального сопротивления области пространственного заряда на площадь электрода в режиме сильной инверсии достигает значения 40 кОм×см2. Обнаружен эффект уменьшения емкости МДП-системы в режиме обогащения после освещения излучением с длиной волны 0,91 мкм, который можно объяснить изменением энергетической диаграммы резкого гетероперехода при изменении зарядового состояния дефектов под действием освещения.

Исследована многоразрядная актуаторная система (МАС) на основе усовершенствованной трехэлектродной схемы с экранирующим электродом. Проведена оптимизация геометрических и физических параметров подобной МАС с целью повышения скорости и энергетической эффективности создаваемого потока. Получены экспериментальные зависимости скорости воздушного потока на выходе МАС от частоты, амплитуды напряжения и средней мощности питания. Также представлены зависимости максимальной скорости от суммарной толщины диэлектрической подложки.

От организации подачи плазмообразующего газа и характера взаимодействия газового потока с электрическими дугами зависят характеристики плазмотронов (далее – П). При оптимальном режиме работы инжектора и разрядной камеры рельсового П на первом этапе исследования было выполнено 3D-моделирование газодинамического течения холодного рабочего газа в области тангенциальной подачи, в цилиндрическом канале, в сужающемся сопле инжектора (однофазного двухканального П переменного тока), в разрядной камере трёхфазного рельсового П, а также за его пределами (в окружающей среде). При этом было проведено ещё сравнение течения холодного плазмообразующего газа в инжекторе и в разрядной камере рельсового П при включенном тангенциальном контуре его разрядной камеры с газодинамическим течением холодного плазмообразующего газа в его инжекторе и в разрядной камере при отключенном тангенциальном контуре его разрядной камеры.

В статье обсуждаются концептуальные основания для определения авторского ракурса в исследовании феномена профессионального выбора в процессе профессионального самоопределения. Цель статьи – выявить взаимосвязи характерных для первокурсников тенденций в принятии решений в ходе профессионального самоопределения и модальности профессионально-психологического типа с учетом когнитивных особенностей личности. Описана использованная батарея диагностических опросников, в которую вошли 7 методик: опросник «Личностные факторы принятия решений, ЛФР-25» (Т. В. Корнилова); опросник «Тенденции в принятии решений» (А. Ю. Разваляева); Мельбурнский опросник принятия решений (Т. В. Корнилова); русскоязычный опросник каузальной ориентации (О. Е. Дергачева, Л. Я. Дорфман, Д. А. Леонтьев); методика «Стремление к когнитивной закрытости» (М. И. Ясин, О. Е. Хухлаев); опросник профессиональных предпочтений (А. Н. Воробьев, И. Г. Сенин, В. И. Чирков), представляющий адаптацию теста Self-Directed Search, SDS Дж. Голланда, автора модели RIASEC; методика «Определение профессиональнопсихологического типа личности» (С. В. Духновский). Выборка составила 310 первокурсников гуманитарных направлений подготовки Сибирского университета потребительской кооперации (г. Новосибирск). Предлагается эмпирически выделенная специфика когнитивного своеобразия факторов когнитивная неопределенность и когнитивная открытость, отражающих особенности взаимосвязи тенденций принятия решений, индивидуально-личностных стратегий выбора и профессионально-психологических типов личности студентов. У значительной части первокурсников достаточно выражены когнитивные особенности открытого типа, включающие конструктивные способы и стратегии принятия решений. Для определенной части студентов характерны высокий уровень когнитивной неопределенности и низкий уровень когнитивной открытости: данная группа респондентов имеет тенденцию к выраженной когнитивной закрытости мышления. Получено эмпирическое обоснование целесообразности использования полученных результатов для определения потенциальных рисков возникновения когнитивных деформаций профессионального самоопределения в процессе вузовской подготовки, и обсуждаются возможные направления по их психологической профилактике.