SCI Библиотека

Внедрение программ массового спорта и здорового образа жизни (ЗОЖ) является важным шагом в улучшении здоровья населения и снижении финансовых затрат на здравоохранение. В данной статье рассматривается финансово- экономическая эффективность реализации таких программ, в том числе через их влияние на улучшение здоровья, повышение производительности труда и снижение затрат на лечение заболеваний, связанных с малоподвижным образом жизни. Приводится анализ экономических выгод и затрат, а также долгосрочных эффектов от внедрения массового спорта и ЗОЖ в рамках государственных и муниципальных инициатив. Ожидается, что результаты исследования помогут в формировании эффективной государственной политики и стратегии в области профилактики заболеваний и повышения качества жизни граждан.

В условиях глобального изменения климата и стремительного роста интереса к устойчивым технологиям, электромобили рассматриваются как одно из ключевых решений для снижения негативного воздействия транспорта на окружающую среду. Настоящее исследование направлено на всестороннюю оценку экологических и экономических последствий использования электромобилей по сравнению с автомобилями, оснащёнными двигателями внутреннего сгорания. В работе проводится анализ жизненного цикла транспортных средств, включая производство, эксплуатацию и утилизацию, с учётом региональных различий в энергетическом миксе. Также рассматриваются аспекты совокупной стоимости владения, влияние на качество воздуха в городах, а также социально - политические факторы, определяющие динамику перехода к электрическому транспорту. Результаты исследования могут быть полезны для формирования эффективной государственной политики, направленной на развитие экологически устойчивой мобильности.

Исследовано влияние импульсов слабого магнитного поля на аморфный сплав Al85Fe7Ni5La3, полученный методом спиннингования в виде фольги толщиной 20 мкм. Изучены следующие гистерезисные характеристики аморфного твёрдого раствора до и после магнитоимпульсной обработки: удельная намагниченность насыщения, удельная остаточная намагниченность, коэрцитивная сила и площади петель гистерезиса. Вид и параметры петель магнитного гистерезиса указывают на наличие в сплаве магнитоупорядоченных областей – кластеров, а специфическая форма петель магнитного гистерезиса сплава указывает также на наличие в аморфной фольге наведенной магнитной анизотропии. После магнитоимпульсной обработки лент аморфного сплава Al85Fe7Ni5La3 в результате протекания релаксационных процессов (увеличения степени химического и топологического порядка, снижения степени наведенной магнитной анизотропии) наблюдается существенное изменение значений всех структурно-чувствительных гистерезисных характеристик, в том числе более чем 6-кратное увеличение удельной намагниченности насыщения. Полученные результаты указывают на возможность использования магнитоимпульсной обработки аморфных сплавов для управления их магнитными свойствами.

Промышленные инновации играют ключевую роль в модернизации экономики региона, оказывая существенное влияние на рост производительности, создание новых рабочих мест и улучшение социально- экономических показателей. В статье рассматривается, как внедрение новых технологий в промышленности способствует экономическому развитию региона, снижению зависимости от традиционных отраслей и стимулированию роста смежных секторов. Основное внимание уделено факторам, влияющим на инновационную активность, таким как государственная поддержка, наличие научно- исследовательской базы и привлечения частных инвестиций. Также обсуждаются вызовы, с которыми сталкиваются регионы при реализации инновационных проектов, и предлагаются пути для улучшения инновационного климата. Прогнозируется, как промышленная трансформация повлияет на структуру занятости и развитие человеческого капитала.

В работе изучено влияние нанографеноксидов, полученных или из многостенных углеродных нанотрубок под воздействием гамма-радиации, или при карбонизации природного лигнина в процессе самораспространяющегося высокотемпературного синтеза, на структуру и свойства полиметилметакрилата. Показано, что внедрение нанографеноксидов в полиметилметакрилат приводит к изменениям структуры, механических и тепловых свойств образцов.

Проведено рентгенографическое исследование фазового состава, субструктуры и остаточных напряжений в порошковых телах системы Cu–SiC. Они были получены односторонним формованием смеси порошков меди и карбида кремния. Фазовый состав исследуемых материалов представлен кристаллографическими фазами карбида кремния (6H-SiC и 15R-SiC), меди (ГЦК) и её оксида. Смещения дифракционных линий фаз меди и SiC по брэгговскому углу свидетельствуют о наличии сжимающих (для Cu) и растягивающих (для карбида кремния) остаточных напряжений. Анализ соотношений интенсивности дифракционных линий меди и карбида кремния указывает на отсутствие преимущественной ориентации в зернах меди и карбида кремния – отсутствует текстура. Предложен механизм формирования фазового состава, субструктуры и остаточных напряжений в порошковых телах системы Cu–SiC.

Роботизация производственных процессов оказывает значительное влияние на структуру затрат и рынок труда. В данной статье рассматривается, как автоматизация с использованием роботов способствует сокращению производственных затрат, повышению эффективности и качества продукции, одновременно изменяя потребности в рабочей силе. Также анализируются возможные экономические и социальные последствия внедрения роботов, включая снижение рабочих мест для низкоквалифицированных работников и создание новых возможностей для высококвалифицированных специалистов. Рассмотрены вызовы для государств и бизнеса в адаптации к изменяющемуся рынку труда, а также необходимость в переподготовке работников и создании новых форм занятости в условиях высокотехнологичных изменений.

Разработана методика вычисления толщин эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs, применяемых в технологии изготовления матричных фотоприемных устройств с квантоворазмерной активной областью (QWIP), чувствительных в спектральном диапазоне 8–10 мкм. Реализована имитационная модель гетероперехода AlGaAs-GaAs со слоями, имеющими разные степени легирования, для использования в методике электрохимического вольт-фарадного профилирования (ECV). Проведен расчет границы гетероперехода для структур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, из экспериментально полученных профилей концентрации носителей заряда по толщине структуры. Полученные с помощью данной методики на основе ECVпрофилирования значения концентраций носителей заряда и толщин эпитаксиальных слоев позволили оптимизировать условия роста гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами для QWIP-фотоприемников.

Рассмотрена концепция построения фоточувствительной униполярной nBn-структуры для фотоприемного устройства (ФПУ) средневолнового ИК-диапазона спектра на основе CdHgTe. Представлена архитектура и рассчитаны ее характеристические параметры: смещение энергии валентной зоны, напряжение плоских зон, поверхностный потенциал  s на границе коллектор/барьер; плотность темнового тока, которая при рабочих температурах Т = 110–160 К составила Jdark = 10-10–10-6 А/см2. Показано, что nBn-архитектура на основе CdHgTe может использоваться для построения ФПУ нового типа с повышенными характеристиками.

Проведен анализ гистограммы темновых токов матриц длинноволновых фотодиодов, изготовленных из гетероэпитаксикальных структур (ГС) Cd0,22Hg0,78Te/CdTe/ZnTe/ GaAs(301). Максимум гистограммы соответствует диффузионным токам для номинальных фотоэлектрических параметров CdHgTe. Имеются единичные фотодиоды с темновыми токами, на порядки превышающими диффузионный ток. Вероятность их появления связывается с V-дефектами структуры ГС, плотность которых составляет величину порядка 103 см-2 и которые представляют собой области нарушеннной структуры CdHgTe с избытком теллура. Имеется достаточно большое количество диодов (десятки процентов) с повышенными темновыми токами. Исследование C-Vхарактеристик МДП на ГС показывает наличие положительного заряда, неоднородно распределенного по поверхности и достаточного для инверсии типа проводимости в отдельных областях. Образование шунтирующего слоя n-типа на поверхности должно приводить к увеличению темновых токов фотодиодов, попадающих в такие области.