Выполнен анализ правомерности использования упрощенной методики экспериментальной оценки статической температурно-частотной характеристики (ТЧХ) современных несканирующих тепловизионных приборов, работающих в контрастно-ограниченном режиме, в котором их эффективность лимитируется предельной контрастной чувствительностью зрительного аппарата оператора. Методика основана на обнаружении провала в изображении двух смежных полос стандартной четырехполосной тепловой миры, расположенной в оптимальной фазе относительно структуры матричного фотоприемника, когда глубина этого провала максимальна. Установлена взаимосвязь данной характеристики с динамической ТЧХ, наиболее точно определяющей возможности приборов при обнаружении и распознавании объектов, измеряемой при поперечном движении поля зрения прибора относительно миры. Сформулированы практические рекомендации по пересчету измеренной статической ТЧХ к динамической.
Выполнен анализ правомерности использования упрощенной методики экспериментальной оценки статической температурно-частотной характеристики (ТЧХ) современных несканирующих тепловизионных приборов, работающих в контрастно-ограниченном режиме, в котором их эффективность лимитируется предельной контрастной чувствительностью зрительного аппарата оператора. Методика основана на обнаружении провала в изображении двух смежных полос стандартной четырехполосной тепловой миры, расположенной в оптимальной фазе относительно структуры матричного фотоприемника, когда глубина этого провала максимальна. Установлена взаимосвязь данной характеристики с динамической ТЧХ, наиболее точно определяющей возможности приборов при обнаружении и распознавании объектов, измеряемой при поперечном движении поля зрения прибора относительно миры. Сформулированы практические рекомендации по пересчету измеренной статической ТЧХ к динамической.
Выполнен анализ правомерности использования упрощенной методики экспериментальной оценки статической температурно-частотной характеристики (ТЧХ) современных несканирующих тепловизионных приборов, работающих в контрастно-ограниченном режиме, в котором их эффективность лимитируется предельной контрастной чувствительностью зрительного аппарата оператора. Методика основана на обнаружении провала в изображении двух смежных полос стандартной четырехполосной тепловой миры, расположенной в оптимальной фазе относительно структуры матричного фотоприемника, когда глубина этого провала максимальна. Установлена взаимосвязь данной характеристики с динамической ТЧХ, наиболее точно определяющей возможности приборов при обнаружении и распознавании объектов, измеряемой при поперечном движении поля зрения прибора относительно миры. Сформулированы практические рекомендации по пересчету измеренной статической ТЧХ к динамической.
Представлены исследования и анализ образцов с гетероэпитаксиальной структурой на основе твердого раствора InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs. Определены состав и толщины слоев структуры метода-ми фотолюминесцентной спектроскопии при комнатной температуре и растровой электронной микроскопии соответственно. Измерены спектры пропускания на ИК Фурье-спектрометре. Разработана аналитическая модель спектральных характеристик исследуемых структур. Решением обратной задачи методом подгонки определены конструктивные параметры структуры и состав активного слоя InGaAs. Сравнительный анализ экспериментальных и теоретических данных показал небольшой разброс значений для толщины (менее 65 нм) и состава поглощающего слоя (менее 0,04). Показана корректность и быстродействие разработанного неразрушающего метода характеризации полупроводниковых структур.
Представлены исследования и анализ образцов с гетероэпитаксиальной структурой
на основе твердого раствора InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпи-
таксии на подложке GaAs. Определены состав и толщины слоев структуры метода-
ми фотолюминесцентной спектроскопии при комнатной температуре и растровой
электронной микроскопии соответственно. Измерены спектры пропускания на ИК
Фурье-спектрометре. Разработана аналитическая модель спектральных характери-
стик исследуемых структур. Решением обратной задачи методом подгонки определе-
ны конструктивные параметры структуры и состав активного слоя InGaAs. Срав-
нительный анализ экспериментальных и теоретических данных показал небольшой
разброс значений для толщины (менее 65 нм) и состава поглощающего слоя
(менее 0,04). Показана корректность и быстродействие разработанного неразрушаю-
щего метода характеризации полупроводниковых структур.
Представлены исследования и анализ образцов с гетероэпитаксиальной структурой
на основе твердого раствора InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs. Определены состав и толщины слоев структуры методами фотолюминесцентной спектроскопии при комнатной температуре и растровой
электронной микроскопии соответственно. Измерены спектры пропускания на ИК
Фурье-спектрометре. Разработана аналитическая модель спектральных характеристик исследуемых структур. Решением обратной задачи методом подгонки определены конструктивные параметры структуры и состав активного слоя InGaAs. Сравнительный анализ экспериментальных и теоретических данных показал небольшой
разброс значений для толщины (менее 65 нм) и состава поглощающего слоя
(менее 0,04). Показана корректность и быстродействие разработанного неразрушающего метода характеризации полупроводниковых структур.