На основании статистических закономерностей регистрации ядерных излучений в книге рассматриваются вопросы чувствительности радиометрических установок, предназначенных для измерения малых активностей. Дается связь чувствительности с фоном установок, эффективностью счета и полным временем измерения.
Для установок, в которых подавлена космическая компонента фона, вводится понятие постоянства фона. Показано, что такие установки обладают вдвое большей чувствительностью по сравнению с обычными. Рассматриваются пути увеличения чувствительности установок. Описан новый способ снижения космической части фона без применения счетчиков антисовпадений.
Книга будет полезна всем специалистам, которым приходится сталкиваться с измерением малых активностей, и специалистам, работающим в области увеличения чувствительности радиометрической аппаратуры.
Описаны конструкция и способ изготовления высококонтрастных в рентгеновском спектральном поддиапазоне коротких длин волн ( 2,55 Å) рентгеношаблонов, являющихся инструментом для формирования резистивных масок толщиной до 250 мкм из негативных и до 1 мм из позитивных резистов. Данные рентгеношаблоны могут быть также использованы в поддиапазоне средних длин волн (810 Å) и в качестве переходных шаблонов при изготовлении LIGA-шаблонов, применяемых в поддиапазоне ультракоротких длин волн (0,53 Å). Способ изготовления базируется на кремниевой планарной технологии. Были изготовлены два вида шаблонов с преимущественно алюминиевой мембраной. Проведенная работа показывает, что, базируясь на данной технологии, можно изготавливать рентгеношаблоны и LIGAшаблоны со слоистыми несущими мембранами, выполненными из слоёв сравнительно легких материалов типа титана, алюминия, кремния и т. п., толщины которых могут варьироваться в зависимости от предназначения шаблона.
Представлены результаты численного моделирования параметров выходного излучения и эффективности лазера на парах меди, возбуждаемого импульсно-периодическим индукционным разрядом трансформаторного типа. Такой безэлектродный способ возбуждения является новым для лазера на парах меди и на практике пока не осуществлён. Выбраны параметры макета малого масштаба для проведения экспериментов по накачке индукционным разрядом рабочей среды такого лазера. Решена тепловая задача и определена дополнительная мощность, необходимая для нагрева разрядной трубки до требуемой температуры при пониженных мощностях разряда, возбуждающего лазерную среду.
Построена гидродинамика трехфазных многокомпонентных сред в континуальном приближении. В элементе континуума каждая фаза характеризуется собственной скоростью. В основу теории положены законы сохранения и принцип относительности Галилея. Получены уравнения движения и состояния трехфазного трехкомпонентного континуума.
Работа представляет интерес для физиков, петрологов, физиков, использующих в своих подходах законы фильтрации, многофазных сред.
В статье рассмотрена локальная задача определения напряженно-деформированного состояния (НДС) конструкции с развитием межслоевого повреждения. Представлен вариант с возможностью применения в системах мониторинга программной реализации математического аппарата для моделирования роста трещины, выявлены эффекты, характеризующие поведение материала. В результате исследования на основе численного моделирования представлено изменение параметра трещиностойкости в зависимости от длины трещины для термопластичного и реактопластичного связующего.
Исследовано влияние УФ-излучения на радиационную долговечность некоторых полимеров при различных условиях испытания. Изучена кинетика роста трещин образцах из пленок диацетилцеллюлозы как при наличии УФ-облучения, так и без него. Предложен закон сложения скоростей радиационного vj и термофлуктуационного v разрушения в условиях фотомеханической деструкции.
В представленной работе приводятся результаты исследований люминесцентных свойств поверхности сапфира покрытой нанокластерами золота. В качестве метода возбуждения люминесценции в работе был использован поток быстрых электронов с ускоряющим напряжением 40 кВ. Показано, что в ультрафиолетовой области спектра катодолюминесценции чистого сапфира при малых ускоряющих напряжениях (40 кВ) свечение практически отсутствует. После нанесения покрытия золота свечение в ультрафиолетовой области усиливается за счет интенсивной генерации вакансий кислорода в области контакта золота с сапфиром. Показано, что F+-полоса люминесценции при возбуждении потоком быстрых электронов является в сапфире основной, а F-полоса подавлена. Продемонстрировано плазмонное усиление интенсивности люминесценции, как в ультрафиолетовой, так и красной области спектра при нанесении нанокластеров золота. При фокусировке пучка электронов обнаружен эффект усиления люминесценции в ультрафиолетовой области и температурного гашения в красной области спектра. Усиление интенсивности люминесценции F+- центров связано с генерацией новых вакансий кислорода и перезарядкой старых.
Исследованиями механизмов переноса тока в pSi-nSi1-xSnx структур в интервале температур 293–393 К было установлено, что в Si1-xSnx (0 x 0,04) твердом растворе существенную роль в формировании электрических свойств играет рассеяние носителей заряда не только на сложных комплексах, но и на нанообразованиях. И этим доказано, что, эпитаксиальные пленки твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), полученные на кремниевых подложках, могут быть перспективными при изготовлении диодов, работающих в режиме двойной инжекции.
Осаждением в СВЧ-плазме (2,45 ГГц) в смеси метан-силан-водород на подложках кремния и монокристаллического алмаза синтезированы композитные пленки алмазкарбид кремния кубического политипа (3C-SiC). Структура и фазовый состав пленок проанализированы методами сканирующей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света. Удельное сопротивление пленок при температуре T = 340 К составило (0,8−6)10-2 Омсм. Температурные зависимости (T), измеренные в диапазоне 300−460 К, свидетельствуют о полупроводниковом характере электропроводности композитного материала, с энергией активации 0,09–0,20 эВ. Подобные композиты, состоящие из двух широкозонных полупроводников с отличными электронными свойствами и высокой теплопроводностью, потенциально могут быть интересными для применений в электронике.
Методами магнитно-силовой микроскопии (МСМ) и электронной оже-спектроскопии (ЭОС) исследованы плёночные образцы полумагнитного полупроводника на основе CdS, полученные термическим испарением и легированные Fe из поверхностного наноразмерного источника посредством отжига. Свойства слоев CdS: Fe определяются наличием отдельных атомов Fe, растворенных в CdS, и расположением наноразмерных фаз с ферромагнитными свойствами. Совместный анализ результатов МСМ, ЭОС и температурной зависимости магнитной восприимчивости позволил идентифицировать два типа наноразмерных магнитных фаз – FeS и Fe2O3, расположенных в пленке твердого раствора CdхFe1-xS.