В настоящее время ведущие мировые производители
элементов памяти активно разрабатывают технологию памяти с изменяемым фазовым
состоянием, в основе которой лежит фазовый переход халькогенидное стекло – кристалл.
По сравнению с наиболее распространенной сегодня флэш-памятью, память с
изменяемым фазовым состоянием имеет значительно более высокую скорость записи,
выдерживает приблизительно в 10 тысяч раз больше циклов перезаписи и потенциально
может иметь более высокую плотность записи информации
Специфика ТГц-диапазона, как промежуточного между микроволновым и ИК, позволяет выделить
два основных подхода к разработке методов детектирования: продвижение «вверх» по диапазону электронных микроволновых приборов и перенос «вниз» методов создания оптоэлектронных устройств. В статье проведен обзор существующих методов приема излучения ТГц-диапазона
