Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя Х-диапазона на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC (2018)
Разработана конструкция монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя диапазонов частот 8–12 ГГц. МИС усилителя изготовлена на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC. Приведены результаты измерений параметров МИС.
Издание:
УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ
Выпуск:
Том 6, №6 (2018)
Система-на-кристалле со встроенными антеннами V-диапазона на гетероструктурах нитрида галлия (2018)
Описаны результаты разработки и исследований монолитных интегральных схем (МИС) приемопередающих модулей (ППМ), изготовленных по HEMT-технологии на основе гетероструктур нитрида галлия на сапфировых подложках, предназначенных для работы в V-диапазоне. ППМ реализован как компактная монолитная схема системы-на-кристалле с технологией верхней металлизации со встроенными (интегрированными) антеннами. Измерения изготовленных образцов системы-на-кристалле продемонстрировали устойчивую работу при одновременных приеме и передаче в диапазоне 66,5–69 ГГц. Выходная мощность в передающем тракте составила не менее 10 дБм, диапазон перестройки гетеродина не менее 2 ГГц.
Издание:
УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ
Выпуск:
Том 6, №4 (2018)