С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Долгов А. Н., Клячин Н. А., Прохорович Д. Е. Результаты регистрации линейчатого рентгеновского спектра излучения микропинчевого разряда при моноимпульсной экспозиции детектора 463
Гаврилов С. А., Гавриш С. В., Петренко Н. Ю. Термодинамика испарения амальгамы цезия в газоразрядных приборах 471
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Яковлева Н. И. Анализ времени жизни в узкозонных полупроводниковых слоях HgCdTe 476
Холоднов В. А. К теории исследования всплеска фототока собственного фоторезистора при продольной и попе-речной облученности 485
Будтолаев А. К., Будтолаева А. К., Кравченко Н. В., Хакуашев П. Е., Чинарёва И. В., Тришенков М. А. Пороговая чувствительность типоразмерного ряда фотоприемных устройств на основе p–i–n- и лавинных InGaAs/InP-фотодиодов 494
Базовкин В. М., Варавин В. С., Васильев В. В., Глухов А. В., Горшков Д. В., Дворецкий С. А., Ковчавцев А. П., Макаров Ю. С., Марин Д. В., Мжельский И. В., Половинкин В. Г., Ремесник В. Г., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Сидоров Г. Ю., Строганов А. С., Царенко А. В., Якушев М. В., Латышев А. В. Мегапиксельное матричное фотоприёмное устройство среднего ИК-диапазона 501
Половинкин В. Г., Стучинский В. А., Вишняков А. В., Ли И. И. Фотоэлектрические характеристики многоэлементных ИК фотоприемных устройств c сотовой топологией фоточувствительной матрицы при регистрации точечных источников излучения 507 Айнбунд М. Р., Гарбуз А. В., Дементьев А. А., Левина Е. Е., Миронов Д. Е., Пашук А. В., Смирнов К. Я., Чернова О. В. Гибридные высокочувствительные цифровые телевизионные приборы для УФ и ИК спек-тральных диапазонов 514
Деомидов А. Д., Полесский А. В., Юдовская А. Д., Андосов А. И., Соляков В. Н. Аналитическое сравнение методов измерений энергетической характеристики чувствительности и динамического диапазона 518
Стрельцов В. А., Козлов К. В., Смирнова О. Д. Оптимизация частотной характеристики многорядных фотоприемных устройств для регистрации малоразмерных объектов 526
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Малышев И. В., Николаев Е. В. Расчёт, моделирование и экспериментальное исследование фильтрующих свойств полосно-заградительных кольцевых разрезных структур в составе копланарной линии передач 533
Гамкрелидзе С. А., Ильков В. К., Лисицкий А. П., Савельев Ю. Н. Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя Х-диапазона 542
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов 547
Сводный перечень статей, опубликованных в журнале «Успехи прикладной физики» в 2018 г. 550
Перечень статей, переведенных и опубликованных в англоязычных журналах в 2018 г. 554
XLVI Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу 556
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
A. N. Dolgov, N. A. Klyachin, and D. E. Prokhorovich Results of registration of the X-ray line spectrum of the discharge micropinch emission by a monopulse exposure detector 463
S. A. Gavrilov, S. V. Gavrish, and N. Yu. Petrenko Cesium amalgam evaporation thermodynamics in gas discharge devices 471
PHOTOELECTRONICS
N. I. Iakovleva Carrier recombination lifetime analysis for the HgCdTe narrow-gap layers 476
V. A. Kholodnov A piece of theory of the photocurrent splash in an intrinsic photoconductor under longitu-dinal and transverse illuminations 485
A. K. Budtolaev, A. K. Budtolaeva, N. V. Kravchenko, P. E. Khakuashev, I. V. Chinareva, and M. A. Trishenkov Threshold sensitivity of a standard series of photodetector based on pin and avalanche In-GaAs / InP photodiodes 494
V. M. Bazovkin, V. S. Varavin, V. V. Vasil’ev, A. V. Gluhov, D. V. Gorshkov, S. A. Dvo-retsky, A. P. Kovchavtsev, Y. S. Makarov, D. V. Marin, I. V. Mzhelsky, V. G. Polovinkin, V. G. Re-mesnik, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. S. Stroganov, A. V. Tsarenko, M. V. Ya-kushev, and A. V. Latyshev Megapixel matrix photodetector of the medium IR range 501
V. G. Polovinkin, V. A. Stuchinsky, A. V. Vishnyakov, and I. I. Lee Photoelectric characteristics of IR FPA detectors with honeycomb topology of photosensi-tive elements under illumination with point radiation sources 507
М. R. Ainbund, A. V. Garbuz, A. A. Dement’ev, E. E. Levina, D. E. Mironov, A. V. Pashuk, K. J. Smirnov, and O. V. Chernova Hybrid high sensitive digital TV devices for UV and IR spectral ranges 514
A. D. Deomidov, A. V. Polesskiy, A. D. Yudovskaya, A. I. Andosov, and V. N. Solyakov Analytical comparison of energy characteristics of sensitivity and dynamic range measur-ing methods 518
V. A. Streltsov, K. V. Kozlov, and O. D. Smirnova Optimization of the frequency response of multi-row photodetector devices for the regis-tration of small-sized objects 526
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
I. V. Malyshev and E. V. Nikolaev Calculation, modeling and experimental study of the filtering properties of band-barrier ring-shaped split structures in the coplanar transmission line 533
S. A. Gamkrelidze, V. K. Ilkov, A. P. Lisitskii, and Yu. N. Saveliev Monolithic integrated circuit of the X-band low noise amplifier based on the Al-GaN/AlN/GaN HEMT-transistor with the SiC substrate 542
INFORMATION
Rules for authors 547
The summary list of the articles published in Uspekhi Prikladnoi Fiziki in 2018 550
The list of articles translated and published in English language journals in 2018 554
XLVI International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thermonu-clear Fusion 556
Статьи в выпуске: 6
Рассмотрены параметры средневолнового инфракрасного фотоприемного устройства, изготовленного в виде гибридной микросхемы на основе фокальной матрицы планарных n+–pпереходов HgCdTe с числом 20482048 элементов и кремниевого мультиплексора. Температурная зависимость обратного тока элементов в диапазоне 125–300 К имела характерную зависимость Аррениуса с энергией активации близкой к ширине запрещенной зоны полупроводника и лимитировалась диффузионной компонентой тока. При более низкой температуре ток лимитировался генерацией носителей с участием глубокого уровня локализованного вблизи середины запрещенной зоны. Гистограмма обнаружительной способности элементов матрицы имела вид симметричной кривой с максимумом и средним значением 1,31012 см Гц1/2/Вт.
В статье говорится об особенности проектирования импульсных ФПУ, связанной с необходимостью обеспечения квазиоптимальной фильтрации, обеспечивающей выделение сигнала из шумов фотодиода и усилителя. Показана одна из возможных простых реализаций квазиоптимального фильтра импульсного ФПУ на основе p–i–n- и лавинных InGaAs/InPфотодиодов. Представлены численный анализ зависимости пороговой чувствительности ФПУ на основе InGaAs/InP от длительности входного импульса излучения для различных диаметров фоточувствительного элемента для значений ёмкостей CФД и темновых токов IФД, а также оптимальные значения постоянной времени двойного RC-фильтра, обеспечивающие приемлемые длительности переднего фронта tmax при длительности входного импульса 0,5 = 10 нс для всего типоразмерного ряда ФПУ. Построены графики зависимости пороговой чувствительности ФПУ от длительности сигнала и диаметра фоточувствительного элемента. Сформулированы требования к структуре всех типов ФПУ для максимального выделения импульсного сигнала из шума.
Comparative analysis of splash of intrinsic photoconductivity of semiconductors with increasing concentration of recombination centers has been analyzed at low-level uniform and nonuniform illumination along of the electric field. Equation describing distribution of concentration of nonequilibrium charge carriers has been derived outside approximation of quasi-neutrality for arbitrary light beam profile along of the electric field. It follows from equation that due to photoinduced space charge, the splash of photoelectric gain in photoconductors under illumination perpendicular and along of the electric field should differ significantly at any conditions of recombination on current contacts. If photogeneration of charge carriers is nonuniform, then, unlike uniform photogeneration, the splash of photoelectric gain depends on the polarity of applied voltage. Note, that approximation of quasi-neutrality is insensitive to polarity. An analytical expression is derived for maximum value of electron photoelectric gain depended on concentration of recombination centers in the case of exponential photogeneration profile and sweep-out effect on contacts. Found relation between concentrations of nonequilibrium electrons and holes allows deriving an analytical expression for maximum value of hole photoelectric gain.
В работе представлены результаты моделирования времени жизни в узкозонных полупроводниковых слоях HgCdTe р- и n-типа проводимости в соответствии с механизмами рекомбинации Оже, излучательным и Шокли-Рида-Холла, используя эмпирические формулы Битти, Ландсберга и Блакемора (BLB), выведенные на основе kp модели Кейна с заданными начальными параметрами. Для структур HgCdTe р-типа проводимости состава x = 0,22 мол. дол., выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках CdZnTe, методом приближения экспериментальных и теоретических данных рассчитаны характеристические коэффициенты |F1F2| и , значение которых находится в хорошем соответствии с аналогичными работами. Проведена оценка расположения энергетического уровня ловушек в запрещенной зоне материала р-типа проводимости.
В работе предложена методика расчета давления компонентов амальгамы цезия, учитывающая отклонения от закона Рауля при низких рабочих температурах этого сплава. Реализация предложенного алгоритма расчета давлений паров компонентов над амальгамой цезия позволяет прогнозировать механизм пробоя в части основного ионизируемого компонента, формирующего пробой межэлектродного промежутка газоразрядной лампы.
Продемонстрирована высокая эффективность диффузионной камеры в качестве детектора мягкого рентгеновского излучения для исследований импульсной высокотемпературной плазмы методами дифракционной спектроскопии высокого разрешения. В виде отдельных линий в спектре излучения низкоиндуктивной вакуумной искры удалось зарегистрировать характеристическое излучение K и K железа и излучение многозарядных ионов FeXVIII FeXXV. Согласно полученным результатам, признаком перехода к радиационному сжатию микропинча является появление в спектре излучения линии иона FeXVIII, что соответствует представлениям модели радиационного сжатия. На основе полученных экспериментальных данных высказана гипотеза о существовании механизма распада микропинча, отличающегося от ранее предложенного и обычно принимаемого во внимание перегревного механизма.