Доклад: ИК-фоторезисторы на основе гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами

Докладчик
Давлетшин Ренат Валиевич
АО ″НПО ″ОРИОН″
Автор(ы)
Давлетшин Р.В.
Соавтор(ы)
Болтарь К.О., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Трухачев А.В., Менщиков Р.В., Ремесник В.Г., Кучин Д.С.
Тип доклада
Устный

Видео запись

Видео доклада ещё не загружено.

Статистика доклада

Статистика просмотров за 2025 год.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Другие доклады секции: 10
09:40 | PECVD-СИНТЕЗ ПЛЕНОК КРТ ДЛЯ ИК-ДЕТЕКТОРОВ
Телегин Сергей ВладимировичНижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
11:00 | Кофе-брейк
11:45 | Синтез высокочистых базовых материалов для опто и фотоэлектроники
Мочалов Леонид АлександровичНижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского
12:00 | ИК-фоторезисторы на основе гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
Давлетшин Ренат ВалиевичАО ″НПО ″ОРИОН″
12:45 | Дискуссии, вопросы
13:00 | Обед