SciNetwork
  • Библиотека 521
  • Журналы 21
  • Организации 7
    • Научно-исследовательские
    • Образовательные
    • Издательства
    • Библиотеки
    • Репозитории
  • Конференции
  • Блоги 8
  • Сообщество
    • Поиск людей
    • Группы
    • Форум
    • Мат. формулы
Вход
Написать
Добавить в контакты

Трофимов Александр Александрович

Автор, Участник конференций, Докладчик конференций
Место работы
АО "НПО "ОРИОН"
SciID
0000000206
SPIN-код
3716-5536
ОНП
шероховатость поверхности, surface roughness, cadmium zinc telluride, шлифование и полирование, кадмий-цинк-теллур, molecular beam epitaxy
Заходил
показать
Место работы
АО "НПО "ОРИОН"
ОНП
шероховатость поверхности, surface roughness, cadmium zinc telluride, шлифование и полирование, кадмий-цинк-теллур, molecular beam epitaxy
7
работы
0
библиотека
0
блог
0
коммент.
0
группы
0
контакты
Участник конференций: 3
24.06 / 25.06 2025 г. ФОРУМ «БУДУЩЕЕ ФОТОНИКИ»
Формат участия: Участник
23.09 / 28.09 2024 г. 12 СЕКЦИЯ «ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ФОТОНИКИ» РОССИЙСКОГО ФОРУМА «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»
Формат участия: Докладчик
Доклад: Материал HgCdTe для матричных фотоприемных устройств ИК диапазона 8-14 мкм: современное состояние и перспективы развития в РФ
29.05 / 31.05 2024 г. XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ
Формат участия: Докладчик
Доклад: Подложки CdZnTe для эпитаксиального выращивания твердых растворов А2В6 методом МЛЭ
Его работы: новые поступления
Применение полировальных суспензий на основе поликристаллического алмаза детонационного синтеза в высокопрецизионных процессах обработки соединения кадмий-цинк-теллур
Статья
Применение полировальных суспензий на ос…
Особенности подготовки подложек кадмий-цинк-теллур для выращивания эпитаксиальных слоев соединения кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Статья
Особенности подготовки подложек кадмий-ц…
Моделирование деформации пластины InSb диаметром 50,8 мм при обработке методом одностороннего шлифования свободным абразивом
Статья
Моделирование деформации пластины InSb д…
Обработка подложек InSb с достижением морфологии поверхности, пригодной для молекулярно-лучевой эпитаксии
Статья
Обработка подложек InSb с достижением мо…
Получение высококачественных монокристаллов Cd(1-X)ZnXTe по методу Давыдова–Маркова для изготовления подложек при эпитаксиальном выращивании Hg(1-X)CdXTe
Статья
Получение высококачественных монокристал…
Прецизионное полирование обратной стороны пластин Si диаметром 100 мм с изготовленными на них оптоэлектронными фоточувствительными элементами
Статья
Прецизионное полирование обратной сторон…
 
Ещё ...
Постов пока нет

Скоро владелец страницы опубликует здесь свои посты.

Доступ к этим данным разрешён только авторизованным пользователям.
  • О научной сети
  • Пользовательское соглашение
  • Защита авторских прав
  • Cookies
  • Обратная связь
  • Privacy Policy
Права на оригинальные тексты, а также на подбор и расположение материалов принадлежат проекту SciNetwork, © 2016 — 2025
SciNetwork, © 2025
Функция добавления в закладки доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция отправки личных сообщений доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция оценок доступна только для авторизованных пользователей. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.
Функция добавления в контакты доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.