Доклад: Оптико-электронный модуль средневолнового ИК-диапазона спектра на основе отечественного матричного фотоприемного устройства InSb формата 640×512

Написать
В расписание
Поделиться
Докладчик
Ляпустин Михаил Юрьевич
АО ″НПО ″ОРИОН″
Автор(ы)
Ляпустин М.Ю.
Соавтор(ы)
Старцев В.В., Бурлаков И.Д., Полесский А.В., Хамидуллин К.А., Драгунов Д.Э., Лазарев П.С., Юдовская А.Д.
Тип доклада
Устный
Конференция
12 СЕКЦИЯ «ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ФОТОНИКИ» РОССИЙСКОГО ФОРУМА «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»
Секция программы
Секция №12.1 ТЕХНОЛОГИИ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ФОТОНИКИ. ОПТО- И ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Дата и время
среда, 24 сен (начало в 12:30)

Видео запись

Видео доклада ещё не загружено.

Статистика доклада

Статистика просмотров за 2025 год.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Создать тему обсуждения
Другие доклады секции: 10
09:00 | Перспективы создания фоточувствительных материалов для высокотемпературных матричных детекторов ИК диапазона на основе материалов А3В5 содержащих сурьму.
Кривобок Владимир Святославович•ФИАН
09:20 | Основные направления развития современных фотоприемников, выпускаемых АО «ЦНИИ «Электрон»
Татаурщиков Сергей Сергеевич•ЦНИИ ЭЛЕКТРОН
09:40 | Фотоприемники длинноволнового ИК диапазона на основе QWIP-структур
Болтарь Константин Олегович•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:00 | Методы реализации поляризационной чувствительности в оптико-электронных системах с микроболометрическими матричными детекторами
Соколов Константин Владимирович•ОКБ АСТРОН
10:20 | Квантово-каскадные детекторы для среднего инфракрасного диапазона
Дюделев Владислав Викторович•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
10:40 | Электродинамически усиленное ИК-фотодетектирование структурами на основе двумерного материала с асимметричной сингулярной метаповерхностью
Сёмкин Валентин Андреевич•МФТИ
11:00 | Кофе-брейк
11:30 | Проблемы при серийном изготовлении матричных фотоприемных устройств на основе InSb и пути их решения
Мирофянченко Андрей Евгеньевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:45 | Зависимость дефектности, выявляемой при селективном травлении пластин антимонида индия, от кристаллографической ориентации поверхности пластин и направления выращивания исходных слитков
Фазилова Инна Эдуардовна•САПФИР
12:00 | Получение фоточувствительных барьерно-диодных структур и их исследования с помощью микроскопии сопротивления растекания тока
Минаев Илья Иванович•ФИАН
12:15 | Разработка конструкции ЧЭ МЭМС ИК-сенсора на основе термопар с высокой чувствительностью и поглощающей способностью
Ткаченко Алексей Вячеславович•Маппер
12:30 | Оптико-электронный модуль средневолнового ИК-диапазона спектра на основе отечественного матричного фотоприемного устройства InSb формата 640×512
Ляпустин Михаил Юрьевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:45 | Дискуссии, вопросы
13:00 | Обед