Доклад: Зависимость дефектности, выявляемой при селективном травлении пластин антимонида индия, от кристаллографической ориентации поверхности пластин и направления выращивания исходных слитков

Написать
В расписание
Поделиться
Докладчик
Фазилова Инна Эдуардовна
САПФИР
Автор(ы)
Фазилова И. Э.
Соавтор(ы)
Фазилов Д.Э., Андрейчиков К.С., Астахов В.П., Карпов В.В., Козлов Р.Ю
Тип доклада
Устный
Конференция
12 СЕКЦИЯ «ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ФОТОНИКИ» РОССИЙСКОГО ФОРУМА «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»
Секция программы
Секция №12.1 ТЕХНОЛОГИИ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ФОТОНИКИ. ОПТО- И ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Дата и время
среда, 24 сен (начало в 11:45)

Видео запись

Видео доклада ещё не загружено.

Статистика доклада

Статистика просмотров за 2025 год.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Создать тему обсуждения
Другие доклады секции: 10
09:00 | Перспективы создания фоточувствительных материалов для высокотемпературных матричных детекторов ИК диапазона на основе материалов А3В5 содержащих сурьму.
Кривобок Владимир Святославович•ФИАН
09:20 | Основные направления развития современных фотоприемников, выпускаемых АО «ЦНИИ «Электрон»
Татаурщиков Сергей Сергеевич•ЦНИИ ЭЛЕКТРОН
09:40 | Фотоприемники длинноволнового ИК диапазона на основе QWIP-структур
Болтарь Константин Олегович•АО ″НПО ″ОРИОН″
10:00 | Методы реализации поляризационной чувствительности в оптико-электронных системах с микроболометрическими матричными детекторами
Соколов Константин Владимирович•ОКБ АСТРОН
10:20 | Квантово-каскадные детекторы для среднего инфракрасного диапазона
Дюделев Владислав Викторович•ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
10:40 | Электродинамически усиленное ИК-фотодетектирование структурами на основе двумерного материала с асимметричной сингулярной метаповерхностью
Сёмкин Валентин Андреевич•МФТИ
11:00 | Кофе-брейк
11:30 | Проблемы при серийном изготовлении матричных фотоприемных устройств на основе InSb и пути их решения
Мирофянченко Андрей Евгеньевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:45 | Зависимость дефектности, выявляемой при селективном травлении пластин антимонида индия, от кристаллографической ориентации поверхности пластин и направления выращивания исходных слитков
Фазилова Инна Эдуардовна•САПФИР
12:00 | Получение фоточувствительных барьерно-диодных структур и их исследования с помощью микроскопии сопротивления растекания тока
Минаев Илья Иванович•ФИАН
12:15 | Разработка конструкции ЧЭ МЭМС ИК-сенсора на основе термопар с высокой чувствительностью и поглощающей способностью
Ткаченко Алексей Вячеславович•Маппер
12:30 | Оптико-электронный модуль средневолнового ИК-диапазона спектра на основе отечественного матричного фотоприемного устройства InSb формата 640×512
Ляпустин Михаил Юрьевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:45 | Дискуссии, вопросы
13:00 | Обед