Главным фактором, который влияет на выходные характеристики, является темновой ток фотодиодов, который должен быть минимальным, чтобы снизить шумы и обеспечить высокий уровень фотоэлектрических параметров. Для выявления доминирующих причин генерации-рекомбинации в фотодиодах на основе тройного соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ) в заданном диапазоне напряжений разработана модель расчета темновых токов, обусловленных фундаментальными и иными токовыми механизмами. Определены составляющие темнового тока фотодиодов, изготовленных в гетероструктурах КРТ, выращенных методами молекулярно-лучевой (МЛЭ) и жидкофазной (ЖФЭ) эпитаксии, в диапазоне обратных напряжений смещения от 0 до 40 мВ. В диапазоне от 0 до 20 мВ обратного напряжения смещения характеристики ограничены диффузионной составляющей. Возрастание токов генерациирекомбинации Шокли-Рида-Холла (ШРХ) и туннелирования через уровни ловушек в запрещенной зоне наблюдается при напряжении обратного смещения более 30 мВ.
Получено аналитическое решение параксиального уравнения огибающей электронного пучка (уравнения Ли–Купера), распространяющегося в рассеивающе-тормозящей газовой среде во внешнем магнитном поле. Установлены границы применимости параксиального приближения. Предложен критерий оценки влияния магнитного поля на распространение пучка. Проанализированы частные случаи транспортировки.
Исследована динамика микроразрядов синусоидального барьерного разряда в рельсовой геометрии электродов, вдоль которых продувался воздух при атмосферном давлении.
Цель работы – выяснение роли объемной плазмы и поверхностных зарядов в эффекте «памяти» микроразрядов. На основании анализа изображений микроразрядов, полученных с использованием высокоскоростной съемки, установлено, что перенос плазмы микроразрядов газовым потоком является определяющим в локализации микроразряда в каждом последующем полупериоде приложенного напряжения. Важную роль играет турбулентность потока и наличие в нем вихрей, которые определяют как скорость переноса плазменных каналов, так и вероятность возникновения микроразрядов в конкретном полупериоде. Результаты работы показывают практическую возможность газодинамического управления параметрами барьерного разряда.
В работе представлена система послойной ориентированной укладки волокон методом электроформования с помощью многоканального высоковольтного наносекундного генератора импульсов на основе твердотельных коммутаторов с рабочим напряжением до 32 кВ. Описаны примененные схемотехнические решения и принцип его работы.
Проведено исследование электрических характеристик плазмы и ВЧ-индуктора бесферритных индукционных разрядов в лампах длиной 375 мм и шириной 120 мм, образованных замкнутой кварцевой трубкой с внутренним диаметром 16,6 мм. Разряд возбуждался на частоте 1,7 МГц и мощностях 90–170 Вт в смеси паров ртути давлением 710-3 мм рт. ст. с инертным газом (Ar, 30 % Ne + 70 % Ar) давлением 0,7 и 1,0 мм рт. ст. с помощью изготовленной из литцендрата (w = 1,410-4 Ом/см) 3-витковой катушки индуктивности, размещенной по периметру разрядной трубки. Установлено, что с увеличением мощности плазмы ВЧ-напряжение и ток катушки, мощность потерь в ней и средняя по сечению трубки напряженность электрического ВЧ-поля в плазме уменьшаются, а разрядный ток лампы возрастает. Понижение давления инертного газа уменьшает разрядный ток лампы и повышает ВЧ-напряжение и ток катушки, мощность потерь в ней и напряженность электрического поля в плазме.
Продемонстрирована возможность дефектоскопии фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе монокристаллического кремния путем их бесконтактной (дистантной) электрополевой визуализации на рентгеновской фотопленке Retina. С помощью специально разработанного устройства для ее реализации диагностирован технологический дефект, возникший на поверхности заготовки кремния при его подготовке к диффузионному легированию и маскированный различными покрытиями на последующих стадиях изготовления ФЭП.
Реализована конструкция портативного устройства на основе рамановского спектрометра и полого оптоволокна, позволяющая более чем на два порядка повысить уровень сигнала неупругого рассеяния света на различных газовых смесях, по сравнению с сигналом c открытого объема газа. Предложены варианты дальнейшего увеличения чувствительности системы, что позволит использовать ее для онлайнмониторинга состава газовых смесей с концентрацией компонентов до 100 ppb.
Рассмотрены проблемы, с которыми сталкиваются разработчики неохлаждаемых матричных преобразователей изображений на основе оптико-акустических преобразователей. Показано, что уменьшение апертуры отдельной ячейки (размера пикселя) приводит к катастрофическому падению чувствительности. Анализируются возможные пути сохранения в матричных системах чувствительности, присущей одиночным оптико-акустическим преобразователям с апертурой порядка 5 мм. Анализируются структура и геометрия ячейки, оптимизация геометрии поглотителя ИКизлучения. Рассматривается как альтернатива существующим системам матричный приемник излучения с жидкостными поршнями, запатентованный авторами.
В работе описано влияние на свойства полиэтилена низкой плотности модифицирующих добавок углеродных 2D-структур, полученных карбонизацией природного полимера (лингнина) в условиях процесса самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Сочетанием методов рентгеноструктурного анализа и электронной микроскопии показано, что частицы карбонизированного продукта по свойствам отвечают многослойному графену с терминальными кислородсодержащими группами – графеноксидам. Полученные данные сопоставлены с данными влияния модифицирующих добавок графеноксидов, полученных в результате деструкции многостенных углеродных нанотрубок под влиянием гамма-излучения. Показано, что внедрение в полиэтилен графеноксидов, полученных по различным методикам, сопровождается единообразными изменениями в структуре, механических и теплофизических свойствах образцов.
В работе приведены результаты исследований воздействия звуковых колебаний в процессе химического микроструктурирования поверхности монокристаллического кремния ориентации (100). Установлено, что акустические эффекты при частоте звуковых колебаний 120–150 Гц позволяют получать фигуры травления заданной конфигурации по всей площади поверхности образцов. Показано, что для улучшения конфигурации ямок травления, в раствор, где происходит процесс травления кремния, целесообразно добавлять перекись водорода.
В работе рассматривается динамика роста тонких пленок алюминия на стеклянной подложке с неоднородностями порядка 15 нм и шероховатостью поверхности порядка 2 нм. В качестве объекта исследования использовались пленки алюминия, осажденные в условиях промышленного вакуума. Показан характер изменения рельефа металлических пленок алюминия с увеличением объемной массы. Произведен анализ морфологии поверхности подложки, в качестве которой используется стекла, предназначенные для высококачественной рентгеновской фотографии.
Проведены исследования плазмохимического травления отверстий в двухслойной маске молибден-фоторезист, предназначенной для формирования Lift-of-технологией контактов к фоточувствительным элементам матриц 640512 на основе nBp гетероэпитаксиальных структур с активным слоем InGaAs. Установлено, что после плазмохимического травления окон в жертвенном слое поверхность основы, предназначенной для напыления металла, имеет шероховатость с характерными значениями Ra = 0,007 и Rz = 0,058 мкм соответственно, которые превышают более чем на порядок неровности исходной поверхности основы. Показано, что после плазмохимического травления окон в жертвенном слое на поверхности основы остается перфорированный слой толщиной в несколько десятков нанометров, не поддающийся дальнейшему травлению. Предложен способ обработки пластин с двухслойной маской молибден-фоторезист раствором КОН определенной концентрации, что позволило удалять перфорированный слой, образовавшийся при плазмохимическом травлении отверстий в маске. Полученные результаты позволили уменьшить дефектность и увеличить процент выхода годных матриц.