Архив статей журнала

Неоднородность чувствительности матриц ИК-фотоприемников вследствие дифракции при фотолитографических процессах (2025)
Выпуск: Том 13, №3 (2025)
Авторы: Болтарь Константин, Седнев Михаил Васильевич, Трухачев Антон Владимирович, Лопухин Алексей Алексеевич, Пермикина Елена Вячеславовна

Проведен анализ возможных факторов искажения изображения фотошаблона в слое фоторезиста в процессах контактной фотолитографии при изготовлении матричных ИК фотоприёмников, что приводит к неодинаковости геометрических размеров элементов фотоприемных матриц и как следствие, неоднородности по пикселям чувствительности матричных ИК-фотоприёмников. Исследованы особенности формирования фоточувствительных элементов матриц форматов 384 288 с шагом 25 мкм, 320256 с шагом 30 мкм и 640 512 с шагом 15 мкм на основе гетероэпитаксиальных слоев GaAs/AlGaAs и xBn-InGaAs, выращенных на подложках из арсенида галлия и фосфида индия соответственно. Исследовано влияние на неоднородность чувствительности неплоскостности поверхности гетероэпитаксиальных структур полупроводниковых пластин и дефектов на поверхности пластин.

Сохранить в закладках
О фототоке в гомогенных однородных полупроводниках при отсутствии внешнего электрического поля (2024)
Выпуск: том 12 № 4 (2024)
Авторы: Холоднов Вячеслав Александрович

В приближении квазинейтральности проведено теоретическое исследование преобразования скорости междузонной фотогенерации носителей слабым оптическим излучением в гомогенном полупроводнике в электрический ток при отсутствии внешнего электрического поля. Рекомбинация фотоносителей предполагалась примесной. Выведено аналитическое соотношение для коэффициента фотоэлектрического преобразования образцом с блокирующими электронный ток контактами. Исследована зависимость коэффициента фотоэлектрического преобразования от концентрации центров рекомбинации. Показана возможность возникновения фототока несмотря на отсутствие внешнего электрического поля

Сохранить в закладках