Архив статей журнала

Матричное фотоприемное устройство средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой из CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки (2025)
Выпуск: №1 (2025)
Авторы: Болтарь Константин, Бурлаков Игорь Дмитриевич, Яковлева Наталья, Седнев Михаил Васильевич, Трухачев Антон Владимирович, Лопухин Алексей Алексеевич, Пермикина Елена Вячеславовна, Войцеховский Александр Васильевич, Михайлов Николай, Горн Дмитрий Игоревич

Исследовано матричное фотоприемное устройство (МФПУ) средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки. МФПУ состоит из матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) формата 6464 с шагом 40 мкм, гибридизированной с кремниевой БИС считывания. Фоточувствительная сборка из МФЧЭ и БИС считывания исследовалась в вакуумном технологическом криостате с заливкой жидким азотом. Исследованы спектральные
и фотоэлектрические характеристики МФПУ на основе nBn-гетероструктур из n-слоев CdHgTe со сверхрешетками при оптимальном напряжении смещения. Среднее значение обнаружительной способности составило D*  71010 смВт-1Гц1/2, среднее значение вольтовой чувствительности Su составило Su  6107 В/Вт.

Сохранить в закладках
Влияние поглощения на свободных носителях заряда на параметры кремниевых фотодиодов (2022)
Выпуск: № 5 (2022)
Авторы: Климанов Евгений Алексеевич, Давлетшин Ренат Валиевич

Приведен расчет фоточувствительности кремниевых фотодиодов с учетом поглощения на свободных носителях в диффузионных слоях, позволяющий определить требования к их параметрам для снижения этого эффекта.

Показано, что величина пропускания длинноволнового излучения в кремниевых структурах может также уменьшаться за счет поглощения на свободных носителях в диффузионных слоях.

Сохранить в закладках
Поглощение ИК-излучения в диффузионных слоях структур на основе кремния (2023)
Выпуск: № 6 (2023)
Авторы: Конорев Дмитрий Сергеевич, Климанов Евгений, Давлетшин Ренат Валиевич, Макарова Элина Алексеевна

Приведены экспериментальные зависимости спектров пропускания в кремниевых об-разцах с диффузионными слоями от поверхностного сопротивления слоев и длины волны излучения. Показано, что величина пропускания длинноволнового излучения в кремниевых структурах удовлетворительно согласуется с расчетом для поглощения на свободных носителях в диффузионных слоях при учете сильной зависимости по-движности носителей от концентрации легирующей примеси.

Сохранить в закладках