Доклад: Влияние способов введения прекурсоров ртути и теллура при синтезе ККТ HgTe на их спектральные свойства
Докладчик
Соавтор(ы)
Хакимов К.Т, Миленкович Т., Сапцова О.А., Яковлев В.О., Шуклов И.А., Попов В.С.
Тип доклада
Устный
Секция программы
Дата и время
пятница, 07 фев (начало в 12:00)
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 15
10:00 |
Термодинамические особенности синтеза пленок HgTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
10:15 |
Перспективы выращивания монокристаллов InSb в направлении [553]
Тихонов Дмитрий Александрович•ГИРЕДМЕТ
Тихонов Дмитрий Александрович•ГИРЕДМЕТ
10:30 |
Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов
Попов Константин Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Попов Константин Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:00 |
Исследование влияния длины цепи стабилизирующего амина на синтез коллоидных квантовых точек PbS
Матюхин Павел Борисович•Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук
Матюхин Павел Борисович•Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук
11:15 |
Сравнительный анализ процессов переноса в слоях коллоидных квантовых точек перовскитов CsPbBr3 методом PUMP-PROBE
Лочин Георгий Александрович•ФИЦ ПХФ и МХ РАН
Лочин Георгий Александрович•ФИЦ ПХФ и МХ РАН
11:30 |
Перерыв
11:45 |
Электрофизические свойства фоточувствительных слоев на основе коллоидных квантовых точек
Федоров Артем•АО ″НПО ″ОРИОН″
Федоров Артем•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:00 |
Влияние способов введения прекурсоров ртути и теллура при синтезе ККТ HgTe на их спектральные свойства
13:00 |
Обед
14:00 |
Особенности процессов фотолитографии для изготовления матричных фоточувствительных структур на основе коллоидных квантовых точек
Петрушина Виктория Алексеевна•АО ″НПО ″ОРИОН″
Петрушина Виктория Алексеевна•АО ″НПО ″ОРИОН″
14:30 |
Разработка процесса плазмохимического травления нитрида кремния для МОЭМС применения
Дятлов Владимир Денисович•Маппер
Дятлов Владимир Денисович•Маппер
14:45 |
Технологические аспекты плазменного осаждения
аморфного кремния для МОЭМС
Иванова Ольга Кирилловна•Маппер
Иванова Ольга Кирилловна•Маппер
15:00 |
Замена лигандов и её влияние на фотоэлектрические свойства
тонкопленочных структур на основе квантовых точек селенида ртути
Миленкович Теодора•МФТИ
Миленкович Теодора•МФТИ
15:15 |
Перерыв (подсчёт баллов)