Статья: Физические пределы контроля электрофизических характеристик квантоворазмерных структур средствами электрохимического вольт-фарадного профилирования (2018)

Читать онлайн

Проведена разработка методики контроля распределения концентрации носителей заряда по профилю многослойных гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) с квантоворазмерной активной областью на основе гетеропары AlGaAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, средствами электрохимического вольт-фарадного профилирования (ECV). Разработана расчетная модель области пространственного заряда, формируемой на границе электролит–полупроводник. Проведен анализ ECV-профилей образцов гетеро-эпитаксиальных структур, выращенных на подложках GaAs <100>. Проведен расчет граничных значений глубины формируемой области пространственного заряда для различных концентраций носителей заряда в измеряемых слоях. Сделано заключение об ограниченности метода для контроля распределения концентрации носителей в квантоворазмерной области гетероэпитаксиальных структур.

Parameters of photosensitive semiconductor structures are the important factor in the technology of developing focal-plane arrays (FPAs) for promising optoelectronic dual-use systems. The photoelec-tric characteristics, in particular the distribution of the charge carrier density along the thickness of the heteroepitaxial structures, have a significant effect on the characteristics of the whole photode-tector device, so we need to improve the characterization of the materials. Modern FPAs use com-plex multilayer structures for which the classical techniques for controlling the photoelectric char-acteristics of epitaxial layers are difficult. The classical theory of capacitance-voltage methods is limited by depth of profiling of free charge carrier concentration. The best alternative to traditional methods is the electrochemical capacitance-voltage (ECV) profiling, which allows to determine the concentration of carriers at a depth up to 50 microns. In this paper, results of ECV-investigations of the AlGaAs/GaAs heteroepitaxial structures with quantum wells are presented. Limitations of this method are also shown.

Ключевые фразы: электрохимическое вольт-фарадное профилирование, концентрация носителей заряда, гетероэпитаксиальная структура, квантовые ямы, GaAs, algaas
Автор (ы): Гончаров Валерий Евгеньевич, Никонов Антон Викторович, Батмановская Наталия Сергеевна, Пашкеев Дмитрий Александрович, Кудряшов Антон Владимирович
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
620.183.27. электролитическим травлением
eLIBRARY ID
35723995
Для цитирования:
ГОНЧАРОВ В. Е., НИКОНОВ А. В., БАТМАНОВСКАЯ Н. С., ПАШКЕЕВ Д. А., КУДРЯШОВ А. В. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРЕДЕЛЫ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР СРЕДСТВАМИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ВОЛЬТ-ФАРАДНОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2018. ТОМ 6, №4
Текстовый фрагмент статьи