В статье обсуждается современное состояние технологии получения, а также особенности мирового рынка селенида цинка, дан анализ тенденций его развития. Рассмотрены особенности различных технологий выращивания кристаллов селенида цинка; проведен анализ характеристик получаемых материалов, приборов на их основе, а также основных производителей. Рассмотрены основные области применения селенида цинка в качестве оптических элементов технологических СО2-лазеров, высокоапертурной оптики в устройствах спецтехники, принимающих слабое инфракрасное излучение защитных окон специальных устройств, принимающих сигналы в широком спектральном диапазоне. Рынок селенида цинка в настоящее время переживает коррекцию после периода бурного роста. Представляется, что в средне- и долгосрочной перспективе рынок возобновит свой рост.
The paper discusses the current state of production technology zinc selenide, the features of the global market, an analysis of its development trends. Different technologies of receiving crystals of ZnSe are considered; the analysis of characteristics of the received materials, devices on their basis and also the main producers is carried out. The world market of ZnSe is endures correction after the period of rapid growth now. It is represented that in the average and long term the world market of ZnSe will resume the growth. The analysis of a raw component of development of the market is carried out. It is noted that the cost of the initial materials used by production of ZnSe – selenium and zinc – is units of percent from the cost of finished goods and are present at enough, both on Russian, and in the world market, without being the limiting materials for market development. Also current state of the Russian market of ZnSe, and trend of its development is discussed. Long-term prospects of the Russian producers of ZnSe are complicated by the fact that small volumes of production and the narrow market in comparison with producers from the USA, China and Europe toughen conditions of their work and reduce their competitiveness.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- УДК
- 621.38. Электроника. Фотоэлектроника. Электронные лампы, трубки. Рентгенотехника. Ускорители частиц
- eLIBRARY ID
- 39387137
В 2019 году для мирового промышленного лазерного рынка прогнозируется рост около 7–9 %. Продолжится увеличение доходов лазерной промышленности в следующих секторах: автомобильном, аэрокосмическом, энергетике, электронике и связи.
Лидером роста применений лазерных технологий по-прежнему будет Китай. В последние годы Россия увеличивает экспорт лазеров: если в 2013 году поставки равнялись 55 млн долл., то в 2018 году достигли 129 млн долл. Одновременно экспорт частей и комплектующих лазеров (включая небольшие объемы специальной оптики селенида цинка) вырос с 26 млн долл. в 2013 году до 105 млн долл. в 2018 году. В мировом рейтинге экспортеров лазеров Россия вышла на 6-е место, уступая Германии (1,44 млрд долл. в 2016 году), США (1,17 млрд долл.), Китаю (0,47 млрд долл.), Великобритании (0,35 млрд долл.) и Японии (0,23 млрд долл.).
Рынок селенида цинка в настоящее время переживает коррекцию после периода бурного роста. Представляется, что в средне- и долгосрочной перспективе мировой рынок селенида цинка возобновит свой рост.
Долгосрочные перспективы российских лазерщиков и производителей селенида цинка усложнены тем, что малые объемы производства продукции и узкий рынок по сравнению с производителями из США, Китая и Европы ужесточают условия их работы и снижают их конкурентоспособность.
Список литературы
1. Кульчицкий Н. А., Наумов А. В. // Наноинженерия. 2014. № 11. С. 19. EDN: TJXQFH
2. Сокол В. А., Рохленко Д. А., Кононова Л. И., Заворуева Р. С., Бромберг А.В. // Изв. АН СССР. Неорган. матер. 1978. Т. 14. № 5. С. 855.
3. Карась В. Р. / Обзорная информация НИИТЭХИМ, сер. Монокристаллы, 1978. - 51 с.
4. Kolb E. D., Laudise R. A. // J. Cryst. Growth. 1970. Vol. 7. No. 2. P. 199.
5. Holton M. C., Watts P. K., Stinedurf R. D. // J. Cryst. Growth. 1969. Vol. 6. No. 1. P. 97.
6. Martel G., Moisan J. Y., Lambert B., Gauneau M., Stephan S., Wollfer N., Gravey P., Aoudia A., Rzepka E., Marfaing Y., Triboulet R., Busch M. C., Hadj-Ali M., Koebel J. M., Siffert P., Bremond G., Zerrai A., Marrakchi G. // J. Cryst. Growth. 1996. Vol. 161. No. 1-4. P. 250. EDN: AKWEQR
7. Sato K., Seki Y., Matsuda Y., Oda O. // J. Cryst. Growth. 1999. Vol. 197. No. 3. P. 413. EDN: XNZTIB
8. Бронников А. Д., Вальковский С. Н., Горбунов А. В., Ерофеев В. Н., Классен Н. В., Кулаков М. П., Осипьян Ю. А. // Изв. АН СССР, сер. Физическая. 1983. Т. 47. № 8. С. 1527.
9. Кузнецов В. А., Кузьмина И. П., Лазаревская О. А., Штернберг А.А., Ефремова Е. П., Костомаров Д. В. Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч. 2. - Новосибирск. 1984. С. 51-69.
10. Bryant W. A. // J. Mater. Sci. 1977. Vol. 12. No. 7. P. 1285. EDN: XPPNWN
11. Holton M. C., Watts P. K., Stinedurf R. D. // J. Cryst. Growth. 1969. Vol. 6. No. 1. P. 97.
12. Дубенский К. К., Соколов В. А., Ананьин Г. А. // Оптико-механическая промышленность (Оптический журнал). 1969. № 2. C. 30.
13. Кулаков М. П., Фадеев А. В. // Изв. АН СССР. Неорган. матер. 1981. Т. 17. № 9. С. 1565.
14. Sato K., Seki Y., Matsuda Y., Oda O. // J. Cryst. Growth, 1999. Vol. 197. No. 3. P. 413. EDN: XNZTIB
15. Mirov S. B., Fedorov V. F., Martyshkin D. V., Moskalev I. S., Mirov M. S., Gapontsev V. P. // Optical materials express. 2011. Vol. 1. No. 5. P. 898. EDN: PGMBJL
16. Гаврищук Е. М. // Неорганические материалы. 2003. Т. 39. № 9. С. 1031. EDN: OOGFVJ
17. Pat: GB1013156 Great Britain. No GB19620032134; appl. 21.08.62; pub. 15.12.65. 8 p.
18. Витков В. С., Кульчицкий Н. А., Сокольский В. А. / Тезисы докладов XXI Международной научно-техническая конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва), 25-28 мая 2010. С. 166.
19. Juan H. J., Xie S. S., Lin D. F., Yan X. Q., Zhou Z. P., Ci L. J., Wang J. X., Gao Y., Song L., Lin L. F., Zhou W. Y., Wang G. // J. Cryst. Growth. 2003. Vol. 258. No. 3-4. P. 225. EDN: ERVAXR
20. Wu X. C., Tao Y. R. // J. Cryst. Growth. 2002. Vol. 242. No. 3-4. P. 309. EDN: SYTXEV
21. Дунаевa А. А., Егорова И. Л. // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2015 Т. 15. № 3. С. 449.
22. Колесников Н. Н. «Физико-химические и технологические основы получения кристаллов халькогенидов металлов, содержащих летучие компоненты» // Диссертация на соискание учёной степени доктора технических наук, Черноголовка 2017. EDN: ZQFFSP
23. Сборник трудов научно-исследовательского института материаловедения (1963-2016) Москва, Зеленоград, 2016. С. 382.
24. Кульчицкий Н. А., Наумов А. В. // Изв. ВУЗов. Цветная металлургия. 2015. № 3. С. 408.
25. Колесников Н. Н., Борисенко Д. Н., Борисенко Е. Б., Тимонина А. В. / Труды XIII международной конференции «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов». (Курск. 2016) C. 143-146.
26. Khanh T., Mozhevitina E., Khomyakov A., Avetisov R., Davydov A., Chegnov V., Antonov V., Kobeleva S., Zhavoronkov N., Avetissov I. // Journal of Crystal Growth. 2017. Vol. 457. P. 331. EDN: YAAEHJ
27. Avetisov I., Chang K., Zhavoronkov N., Davydov A., Mozhevitina E., Khomyakov A., Kobeleva S., Neustroev S. // Journal of Crystal Growth. 2014. Vol. 401. P. 686. EDN: UEYBUZ
28. Global Zinc Selenide Market Outlook 2017 Growth, Trends, Forecasts 2022/ https:/www.marketresear-chstore.com/report/global-zinc-selenide-market-outlook-2017-growth-trends-177806.
1. N. A. Kul’chickij and A. V. Naumov, Nanoinzheneriya, No. 11, 19 (2014).
2. V. A. Sokol, D. A. Rohlenko, L. I. Kononova, R. S. Zavorueva, and A. V. Bromberg, Izv. AN SSSR. Neorgan. mater. 14 (5), 855 (1978).
3. V. R. Karas’, Obzornaya informaciya NIITEKHIM, ser. Monokristally, (Moscow, 1978), p. 51 [in Russian].
4. E. D. Kolb and R. A. Laudise, J. Cryst. Growth. 7 (2), 199 (1970).
5. M. C. Holton, P. K. Watts, and R. D. Stinedurf, J. Cryst. Growth 6 (1), 97 (1969).
6. G. Martel, J. Y. Moisan, B. Lambert, M. Gauneau, S. Stephan, N. Wollfer, P. Gravey, A. Aoudia, E. Rzepka, Y. Marfaing, R. Triboulet, M. C. Busch, M. Hadj-Ali, J. M. Koebel, P. Siffert, G. Bremond, A. Zerrai, and G. Marrakchi, J. Cryst. Growth 161 (1–4), 250 (1996).
7. K. Sato, Y. Seki, Y. Matsuda, and O. Oda, J. Cryst. Growth 197 (3), 413 (1999).
8. A. D. Bronnikov, S. N. Val’kovskij, A. V. Gorbunov, V. N. Еrofeev, N. V. Klassen, M. P. Kulakov, and Yu. A. Osip’yan, Izv. AN SSSR, ser. Fizicheskaya 47 (8), 1527 (1983).
9. V. A. Kuznecov, I. P. Kuz’mina, O. A. Lazarevskaya, A. A. Shternberg, Е. P. Еfremova, and D. V. Kostomarov, Growth of Semiconductor Crystals and Films. Part 2. (Novosibirsk, 1984). pp. 51–69.
10. W. A. Bryant, J. Mater. Sci. 12 (7), 1285 (1977).
11. M. C. Holton, P. K. Watts, and R. D. Stinedurf, J. Cryst. Growth, 6 (1), 97 (1969).
12. K. K. Dubenskij, V. A. Sokolov, and G. A. Anan’in, Optiko-mekhanicheskaya promyshlennost’ (Opticheskij zhurnal), No. 2, 30 (1969).
13. M. P. Kulakov and A. V. Fadeev, Izv. AN SSSR. Neorgan. mater. 17 (9), 1565 (1981).
14. K. Sato, Y. Seki, Y. Matsuda, and O. Oda, J. Cryst. Growth 197 (3), 413 (1999).
15. S. B. Mirov, V. F. Fedorov, D. V. Martyshkin, I. S. Moskalev, M. S. Mirov, and V. P. Gapontsev, Optical materials express 1 (5), 898 (2011).
16. Е. M. Gavrishchuk, Neorganicheskie materialy 39 (9), 1031 (2003).
17. Pat: GB1013156 Great Britain. No. GB19620032134; appl. 21.08.62; pub. 15.12.65. 8 p.
18. V. S. Vitkov, N. A. Kul’chickij, and V. A. Sokol’skij, in Proc. XXI Intern. Conf. Fotoelectronics and Night Vision Devices (Moscow, May 25–28, 2010). P. 166.
19. H. J. Juan, S. S. Xie, D. F. Lin., X. Q. Yan, Z. P. Zhou, L. J. Ci, J. X. Wang, Y. Gao, L. Song, L. F. Lin, W. Y. Zhou, and G. Wang, J. Cryst. Growth 258 (3–4), 225 (2003).
20. X. C. Wu and Y. R. Tao, J. Cryst. Growth, 242 (3–4), 309 (2002).
21. A. A. Dunaeva and I. L. Еgorova, Nauchno-tekhnicheskij vestnik informacionnyh tekhnologij, mekhaniki i optiki 15 (3), 449 (2015).
22. N. N. Kolesnikov, Dissertation (Chernogolovka, 2017).
23. Collected articles of the Material Science Institute (1963-2016) (Moscow, Zelenograd, 2016)
24. N. A. Kul’chickij and A. V. Naumov, Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenij. Tsvetnaya Metallurgiya, No. 3, 408 (2015).
25. N. N. Kolesnikov, D. N. Borisenko, Е. B. Borisenko, and A. V. Timonina, in Proc. XIII Intern. Conf. «Perspective Technologies» (Kursk, 2016). P. 143
26. T. Khanh, E. Mozhevitina, A. Khomyakov, R. Avetisov, A. Davydov, V. Chegnov, V. Antonov, S. Kobeleva, N. Zhavoronkov, and I. Avetissov, J. Cryst. Growth 457, 331 (2017).
27. I. Avetisov, K. Chang, N. Zhavoronkov, A. Davydov, E. Mozhevitina, A. Khomyakov, S. Kobeleva, and S. Neustroev, J. Cryst. Growth 401, 686 (2014).
28. https://www.marketresearchstore.com/report/global-zinc-selenide-market-outlook-2017-growth-trends-177806
Выпуск
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Костров А. В.
Космическая пылевая плазма и глобальная электрическая цепь Земли
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
О. Ю. Горбадей, А. О. Зеневич, Е. В. Новиков, С. А. Гоибов
Исследование амплитудного распределения микроплазменных импульсов при двухрежимной работе лавинного фотодиода
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Н. Г. Галкин, В. Л. Дубов, Д. В. Фомин, К. Н. Галкин, С. А. Пячин
Влияние ростовых параметров на структуру и температурную стабильность пленок BaSi2 на подложках Si(111) для перспективных солнечных элементов
С. И. Зиенко, Д. С. Слабковский
Определение происхождения ограненных алмазов по фононному крылу спектров люминесценции
И. С. Самойлов, А. В. Емельянов, А. В. Еремин, В. П. Полищук, Р. Х. Амиров
Исследование продуктов термодеструкции графита при квазистационарном нагреве
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев
Селенид цинка в современной опто- и фотоэлектронике (обзор)
И. И. Кремис, Р. А. Гладков
Устройства микросканирования для тепловизоров диапазона 8–12 мкм на основе вращающихся пластин из Ge
Е. В. Егоров, В. К. Егоров, А. А. Котова, С. А. Борисов
Высокоэффективная рентгенофлуоресцентная спектрометрия материалов в условиях полного внешнего отражения потоков возбуждения, сформированных волноводно-резонансными устройствами
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
A. V. Kostrov
Cosmic dusty plasma and the global electric circuit of the Earth
PHOTOELECTRONICS
O. Y. Gorbadey, A. O. Zenevich, E. V. Novikov, and S. A. Ghoibov
Investigation of the amplitude distribution of microplasma pulses with a dual-mode avalanche photodiode
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
N. G. Galkin, V. L. Dubov, D. V. Fomin, K. N. Galkin, and S. A. Pyachin
Effect of growth parameters on the structure and temperature stability of BaSi2 films on Si (111) substrates as the basis for the development of new solar cells
S. I. Ziyenko and D. S. Slabkovsky
Determination of origin of the facetted diamonds on a phonon wing of ranges of luminescence
I. S. Samoylov, A. V. Emelianov, A. V. Eremin, V. P. Polishchuk, and R. Kh. Amirov
The study of products of thermal decomposition of graphite with quasi-stationary heating
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
N. A. Kulchitsky, A. V. Naumov, and V. V. Startsev
ZnSe application in modern opto- and photoelectronics (a review)
I. I. Kremis and R. A. Gladkov
Microscanning device for the range 8–12 µm based on the rotation plates from Ge
E. V. Egorov, V. K. Egorov, A. A. Kotova, S. A. Borisov
High effective TXRF spectrometry with using waveguide-resonance structures
Другие статьи выпуска
В работе дана характеристика особенностям метода рентгенофлуоресцентного анализа материалов в условиях полного внешнего отражения потока возбуждающей рентгеновской радиации на исследуемой поверхности (РФА ПВО). Сформулированы требования, предъявляемые к узлам РФА ПВО спектрометров и изучаемым объектам. Показано, что критическим параметром при РФА ПВО измерениях является радиационная плотность потока возбуждения. На основании полученных экспериментальных результатов сделан вывод, что максимум радиационной плотности в формируемых рентгеновских потоках достигается при использовании плоских рентгеновских волноводов-резонаторов. Обсуждаются экспериментальные данные, показывающие, что волноводно-резонансный режим распространения радиационного потока характерен для изучения МоК в кварцевых плоских протяжённых щелевых зазорах шириной менее 110 нм. Дана характеристика степени повышения эффективности РФА ПВО измерений при использовании в качестве формирователей потоков возбуждения излучения MoK рентгеновских волноводно-резонансных устройств. Кратко описана реализация РФА ПВО измерений в условиях ионно-пучкового возбуждения выхода характеристической рентгеновской флуоресценции.
Представлены результаты разработки устройств микросканирования для тепловизоров третьего поколения на основе вращения пластин из Ge на базе коллекторного электродвигателя и двигателя с внешним ротором. Приведены основные технические характеристики микросканеров, дана их сравнительная оценка. Разработан и опробован метод контроля функционирования микросканеров, позволяющий осуществлять их юстировку как на этапе производства, так и на этапе использования в составе тепловизионных каналов. По результатам расчетов, абсолютная погрешность метода составила 4 мкм, что подтверждено натурными измерениями.
Методом эмиссионно-абсорбционной спектроскопии на длинах волн 515 и 589 нм исследовалась термодеструкция графитового стержня при температуре около 3 кК и скорости ее роста – 1 К/с. Излучение на длине волны 515 нм определяется возбужденными молекулами С2, на длине волны 589 нм – излучением микрочастиц. По мере роста температуры стержня температура на длине волны 515 нм увеличивалась, а на длине волны 589 нм – снижалась, что объясняется увеличением концентрации возбужденных молекул С2 и микрочастиц графита вблизи стержня.
Впервые выполнено исследование фононных крыльев (ФК) спектров люминесценции, при комнатной температуре алмазов, изготовленных в природных (27 образцов) и лабораторных (14 образцов) условиях. Установлено, что по форме фононного крыла и положению его «центра тяжести» по оси частот природные алмазы делятся на три группы: с левой, правой и средней характеристиками. Для каждой группы существует свой эталон, у которых коэффициент когерентности близок к единице. Форма ФК у синтетических и облагороженных алмазов заметно отличаются от природных алмазов. Эти отличия связаны с разными по времени механизмами алмазообразования. Алмазы, изготовленные в лаборатории, демонстрируют неравномерное распределение кривой среднего арифметического значения частоты для всех образцов в диапазоне частот. У природных алмазов среднее арифметическое значение частоты описывается гладкой S-образной функцией.
Методом высокотемпературного (800 оС) твердофазного (одноступенчатого и двухступенчатого) отжига на кремниевых подложках с ориентацией (111) сфор-мированы поликристаллические и ориентированные пленки дисилицида бария (BaSi2) толщиной до 100 нм. Однофазность пленок и их оптическая прозрачность ниже 1,25 эВ доказана по данным рентгеновской дифракции и оптических спектро-скопических методов. Установлено, что ориентированные пленки BaSi2 проявляют преимущественную ориентацию кристаллитов [(301), (601)] и [(211), (411)] параллельных плоскости (111) в кремнии. В ориентированных пленках обнаружены проколы, плотность которых и размеры уменьшаются при увеличении времени осты-вания после отжига при 800 оС. Расчет межплоскостных расстояний в решетке BaSi2 для выращенных пленок показал сжатие объема элементарной ячейки на 2,7 % для поликристаллической пленки, а для ориентированных пленок BaSi2 на: 4,67 % (10 минут остывания) и 5,13 % (30 минут остывания). При исследовании спектров комбинационного рассеяния света с изменяемой мощностью лазерного излучения установлено, что наибольшей устойчивостью обладают ориентированные пленки BaSi2, которые перспективны для создания солнечных элементов на кремнии. Определена максимальная плотность мощности лазерного луча (3109 Вт/м2), которая не приводит к началу разрушения данных пленок.
Выполнено исследование амплитудного распределения микроплазменных импульсов при одновременной реализации на лавинном фотодиоде режима счета фотонов и токового режима работы. Режимы работы реализованы при постоянном напряжении питания лавинного фотодиода, превышающем напряжение пробоя его p–n-перехода. Оценено влияние на амплитуду микроплазменных импульсов величины напряжения питания лавинного фотодиода и интенсивности оптического излучения.
В работе рассмотрена модель глобальной электрической цепи Земли (ГЭЦЗ), которая неразрывно связана с процессами в космической плазме. Наша планета Земля окружена космической плазмой, состоящей из электронов, ионов и отрицательно заряженной пыли. Пыль беспрепятственно проникает через магнитное поле и атмосферу и заряжает поверхность Земли отрицательно. Стационарное электрическое состояние достигается при равенстве тока отрицательной пыли и тока положительно заряженных ионов, ускоренных из окружающей плазмы. Положительные ионы проникают в атмосферу через северные и южные широты до высот порядка 100 км, где они уже незамагничены и могут двигаться вдоль Зем-ной поверхности, осуществляя дополнительную ионизацию аномальной структуры Е-слоя, создавая ток «ясной» погоды (порядка 1500 ампер). Ток «ясной» погоды равномерно оседает на отрицательно заряженную поверхность Земли. Используя средний поток пыли на Землю и величину тока «ясной» погоды получено, что средний размер пылинки rn 410-7 м, масса mn 510-17 кг и заряд Qn 10-16 Кл. В работе также рассматриваются вопросы образования, зарядки и разрядки облаков, а также причины влияния космической пыли на погоду Земли.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400